Справочник транзисторов. BDX33C

 

Биполярный транзистор BDX33C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDX33C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDX33C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
bdx33c.pdfpdf_icon

BDX33C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX33CDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CComplement to Type BDX34CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.

 0.1. Size:134K  onsemi
bdx33cg.pdfpdf_icon

BDX33C

BDX33B, BDX33C (NPN)BDX34B, BDX34C (PNP)Darlington ComplementarySilicon Power TransistorsThese devices are designed for general purpose and low speedswitching applications. http://onsemi.comFeaturesDARLINGTON High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.010 AMPERE Collector-Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdcCOMPLEMENTARY SILICONVCEO(sus) = 80 Vdc (min) -

 9.1. Size:135K  motorola
bdx33b bdx34b.pdfpdf_icon

BDX33C

Order this documentMOTOROLAby BDX33B/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBDX33BDarlington ComplementarySilicon Power TransistorsBDX33C*PNP. . . designed for general purpose and low speed switching applications.BDX34B High DC Current Gain hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0 CollectorEmitter Sustaining Voltage at 100 mAdcVCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX33B, 34BBD

 9.2. Size:35K  st
bdx33 bdw34.pdfpdf_icon

BDX33C

BDX33B BDX33CBDX34B BDX34C COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe BDX33B and BDX33C are siliconepitaxial-base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration and aremounted in Jedec TO-220 plastic package. Theyare intented for use in power linear and switchingapplications.32The complementary P

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.