BDX64. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDX64
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BDX64
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDX64 даташит
bdx64.pdf
PNP SILICON DARLINGTONS PNP SILICON DARLINGTONS General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDX64 -60 BDX64A -80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDX64B -100 BDX64C -120 BDX64 -60 BDX64A -80 VCEV Collector-EmitterVoltage VBE=-1.5 V V BDX64B -100 BDX64C -120 BDX64 BDX64A
bdx64 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX64/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -12A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= -5A Complement to Type BDX65/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER
bdx64 bdx64a bdx64b bdx64c.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX64/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -12A C High DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = -5A FE C Complement to Type BDX65/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RA
bdx64-a-b-c.pdf
BDX 64, A, B, C PNP SILICON DARLINGTONS PNP SILICON DARLINGTONS General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDX64 -60 BDX64A -80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDX64B -100 BDX64C -120 BDX64 -60 BDX64A -80 VCEV Collector-EmitterVoltage VBE=-1.5 V V BDX64B -100 BDX64C -120 BDX64 BDX64
Другие транзисторы: BDX62B, BDX62C, BDX62L, BDX63, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX63L, TIP31C, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX64L, BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C
History: 3DG9013
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750


