BDY56. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDY56
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BDY56
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDY56 даташит
bdy55 bdy56.pdf
BDY55 BDY56 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY55 60 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY56 120 BDY55 100 VCBO Collector-Base Voltage V BDY56 150 BDY55 VEBO Emitter-Base Voltage 7V BDY56 BDY55 IC Collector Current
bdy56.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY56 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain- h =20-70@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.1 V(Max)@ I = 4A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM
bdy55-bdy56.pdf
NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY55 60 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY56 120 BDY55 100 VCBO Collector-Base Voltage V BDY56 150 BDY55 VEBO Emitter-Base Voltage 7 V BDY56 BDY55 I
Другие транзисторы... BDY48 , BDY48-200 , BDY48-300 , BDY48-400 , BDY49 , BDY53 , BDY54 , BDY55 , 2SC2240 , BDY57 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , BDY60 , BDY60A , BDY60B , BDY61 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor


