Справочник транзисторов. BDY57

 

Биполярный транзистор BDY57 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDY57
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BDY57

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY57 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  comset
 bdy57 bdy58.pdf pdf_icon

BDY57

BDY57 BDY58NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESANPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY57 80VCEO Collector-Emitter Voltage VBDY58 125BDY57 120VCBO Collector-Base Voltage VBDY58 160BDY57VEBO Emitter-Base Voltage 10 VBDY58BDY57IC Collector Current

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bdy57.pdf pdf_icon

BDY57

isc Silicon NPN Power Transistor BDY57DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min)CEO(SUS)High Power DissipationLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLF signal power amplification.High current fast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 ..3. Size:117K  inchange semiconductor
 bdy57 bdy58.pdf pdf_icon

BDY57

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDY57 BDY58 DESCRIPTION With TO-3 package High current capability Fast switching speed APPLICATIONS For use in low frequency large signal power amplifications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum rati

 0.1. Size:203K  comset
 bdy57-bdy58.pdf pdf_icon

BDY57

BDY57 BDY58NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESANPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY57 80VCEO Collector-Emitter Voltage VBDY58 125BDY57 120VCBO Collector-Base Voltage VBDY58 160BDY57VEBO Emitter-Base Voltage 10 VBDY58BDY57IC Collector Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BDY48-200 , BDY48-300 , BDY48-400 , BDY49 , BDY53 , BDY54 , BDY55 , BDY56 , 2SC2240 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , BDY60 , BDY60A , BDY60B , BDY61 , BDY62 .

History: 2SB1312

 

 
Back to Top

 


 
.