Биполярный транзистор BF441 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF441
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO92
BF441 Datasheet (PDF)
mmbf4416lt1rev0d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF4416LT1/DJFETMMBF4416LT1VHF/UHF Amplifier TransistorNChannelMotorola Preferred Device2 SOURCE3GATE31 DRAIN1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 10DrainSource Voltage VDS 30 VdcSOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDG 30 VdcGateSource Voltage VGS 30 Vdc
pmbf4416 pmbf4416a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF4416; PMBF4416AN-channel field-effect transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistor PMBF4416; PMBF4416AFEATURES Low noise Interchangeability of drain andsource connections High gain.3handbook, halfpageDESC
mmbf4416a.pdf
March 2005MMBF4416AN-Channel RF Amplifier This device is designed for RF amplifiers. Sourced from process 50.GSSOT-23DMark: 6BGAbsolute Maximum Ratings* Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 35 VVGS Gate-Source Voltage -35 VIGF Forward Gate Current 10 mATJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range - 5
mmbf4416.pdf
April 2009MMBF4416N-Channel RF Amplifiers This device is designed for RF amplifiers.G Sourced from process 50.SSOT-23DMark: 6AAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward Gate Current 10 mATJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 C
mmbf4416lt1.pdf
MMBF4416LT1Preferred Device JFET VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Package is Available2 SOURCEMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitGATEDrain-Source Voltage VDS 30 VdcDrain-Gate Voltage VDG 30 Vdc1 DRAINGate-Source Voltage VGS 30 VdcGate Current IG 10 mAdcTHERMAL CHARACTERISTICS3SOT-23 (TO-236)Characteristic Sym
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050