BF441 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF441  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для BF441

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF441 даташит

 0.1. Size:292K  motorola
 mmbf4416lt1rev0d.pdf pdf_icon

BF441

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF4416LT1/D JFET MMBF4416LT1 VHF/UHF Amplifier Transistor N Channel Motorola Preferred Device 2 SOURCE 3 GATE 3 1 DRAIN 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 10 Drain Source Voltage VDS 30 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Drain Gate Voltage VDG 30 Vdc Gate Source Voltage VGS 30 Vdc

 0.2. Size:69K  philips
 pmbf4416 pmbf4416a cnv 2.pdf pdf_icon

BF441

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBF4416; PMBF4416A N-channel field-effect transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel field-effect transistor PMBF4416; PMBF4416A FEATURES Low noise Interchangeability of drain and source connections High gain. 3 handbook, halfpage DESC

 0.3. Size:49K  fairchild semi
 mmbf4416a.pdf pdf_icon

BF441

March 2005 MMBF4416A N-Channel RF Amplifier This device is designed for RF amplifiers. Sourced from process 50. G S SOT-23 D Mark 6BG Absolute Maximum Ratings* Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 35 V VGS Gate-Source Voltage -35 V IGF Forward Gate Current 10 mA TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range - 5

 0.4. Size:100K  fairchild semi
 mmbf4416.pdf pdf_icon

BF441

April 2009 MMBF4416 N-Channel RF Amplifiers This device is designed for RF amplifiers. G Sourced from process 50. S SOT-23 D Mark 6A Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage -30 V IGF Forward Gate Current 10 mA TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BF432, BF432L, BF433, BF435, BF436, BF437, BF439, BF440, A1015, BF450, BF451, BF454, BF454B, BF455, BF455C, BF455D, BF456