BF640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF640  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF640

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF640 даташит

 0.1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

BF640

CEPF640/CEBF640 CEFF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF640 200V 0.15 19A 10V CEBF640 200V 0.15 19A 10V CEFF640 200V 0.15 19A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Другие транзисторы: BF618EA, BF618G, BF620, BF621, BF622, BF623, BF630, BF639, 2SD669A, BF642, BF642P, BF642P2, BF642W, BF642W3, BF643, BF643P, BF643P2