Биполярный транзистор BF767 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BF767
   Маркировка: G9_LG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.11 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): O.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам