BF767 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF767  📄📄 

Маркировка: G9_LG

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.11 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): O.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF767

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF767 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BF760EA, BF761, BF761BA, BF761EA, BF762, BF762BA, BF762EA, BF763, 2SB817, BF770, BF770A, BF775, BF779, BF780, BF787, BF788, BF789