BF857 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BF857 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BF857
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BF857

 

BF857 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  philips
 bf857 bf858 bf859.pdf pdf_icon

BF857

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF857; BF858; BF859 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859 DESCRIPTION NPN transistors in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version

Другие транзисторы... BF824 , BF840 , BF841 , BF844 , BF845 , BF847 , BF848 , BF850 , TIP120 , BF857A , BF857BA , BF857EA , BF858 , BF858A , BF858EA , BF859 , BF859A .

History: MT3S20P | GT703D | BC327BP | PMBT3906MB | 2SC3771 | RN1965CT | 4SDG110K

 

 
Back to Top

 


 
.