Справочник транзисторов. BF857EA

 

Биполярный транзистор BF857EA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BF857EA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для BF857EA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF857EA Datasheet (PDF)

 9.1. Size:63K  philips
 bf857 bf858 bf859.pdf pdf_icon

BF857EA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF857; BF858; BF859NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859DESCRIPTIONNPN transistors in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version

Другие транзисторы... BF844 , BF845 , BF847 , BF848 , BF850 , BF857 , BF857A , BF857BA , S9018 , BF858 , BF858A , BF858EA , BF859 , BF859A , BF859BA , BF859EA , BF860 .

History: AD136-III | CPH3140

 

 
Back to Top

 


 
.