Биполярный транзистор BFR10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFR10
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO39
BFR10 Datasheet (PDF)
bfr106 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFR106NPN 5 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistor BFR106DESCRIPTION PINNINGNPN silicon planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTIONin a plastic SOT23 envelope. It is lfpage 3Code: R7pprimarily intended for low noise, 1 basegeneral RF applicati
bfr106 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFR106NPN 5 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistor BFR106DESCRIPTION PINNINGNPN silicon planar epitaxial transistorPIN DESCRIPTIONage 3in a plastic SOT23 envelope. It isCode: R7pprimarily intended for
bfr106.pdf
BFR 106NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers Special application: antenna amplifiers Complementary type: BFR 194 (PNP)ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFR 106 R7s Q62702-F1219 1 = B 2 = E 3 = C 4 = E SOT-23Maximum Rat
bfr106.pdf
BFR106Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor High linearity low noise RF transistor 22 dBm OP1dB and 31 dBm OIP3 @ 900 MHz, 8 V, 70 mA For UHF / VHF applications Driver for multistage amplifiers For linear broadband and antenna amplifiers Collector design supports 5 V supply voltage Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to
bfr106.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor BFR106DESCRIPTIONLow Noise FigureNF = 2.5 dB TYP. @V = 8 V, I = 20 mA, f = 900 MHzCE CHigh GainS 2 = 10.5 dB TYP. @V = 8 V,I = 70 mA,f = 900 MHz21e CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low noise ,high-gain amplifiers andlinear broadband amplifiers.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050