Биполярный транзистор BFR36A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFR36A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO39
BFR36A Datasheet (PDF)
bfr360l3.pdf
BFR360L3Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Low voltage/ Low current operation For low noise amplifiers For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small leadless package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device,
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050