BFR36A Todos los transistores

 

BFR36A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFR36A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BFR36A Datasheet (PDF)

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BFR36A

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BFR36A

BFR360L3Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Low voltage/ Low current operation For low noise amplifiers For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small leadless package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device,

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History: PDTA143EE | 2N4971 | UMH4NFHA | 3CD3C | CS9011F | 2N6556 | 2SA1201

 

 
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