BFX57III datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFX57III  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: TO12

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFX57III

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFX57III даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFX55, BFX56, BFX56I, BFX56II, BFX56III, BFX57, BFX57I, BFX57II, 2N3904, BFX58, BFX58D, BFX58I, BFX58II, BFX58III, BFX59, BFX59F, BFX59R