BFX58D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFX58D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFX58D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFX58D даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFX56I, BFX56II, BFX56III, BFX57, BFX57I, BFX57II, BFX57III, BFX58, 2N5551, BFX58I, BFX58II, BFX58III, BFX59, BFX59F, BFX59R, BFX60, BFX61