BFY18. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFY18

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BFY18

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFY18 даташит

 0.1. Size:121K  siemens
 bfy182.pdf pdf_icon

BFY18

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 182 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.4 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No. 5611/006 Micro-X1 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling pr

 0.2. Size:122K  siemens
 bfy183.pdf pdf_icon

BFY18

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 183 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No. 5611/006 Micro-X1 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling pr

 0.3. Size:121K  siemens
 bfy180.pdf pdf_icon

BFY18

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 180 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low power amplifiers at collector currents from 0.2 to 2.5 mA Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 2.6 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No. 5611/006 Micro-X1 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type M

 0.4. Size:121K  siemens
 bfy181.pdf pdf_icon

BFY18

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 181 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.2 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No. 5611/006 Micro-X1 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFY13D, BFY14, BFY14B, BFY14C, BFY14D, BFY15, BFY16, BFY17, BC639, BFY19, BFY20, BFY21, BFY22, BFY23, BFY23A, BFY24, BFY25