Биполярный транзистор BFY18 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFY18
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO18
BFY18 Datasheet (PDF)
bfy182.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 182Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers atcollector currents from 1 mA to 20 mA Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.4 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006Micro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling pr
bfy183.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 183Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers atcollector currents from 2 mA to 30 mA Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006Micro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling pr
bfy180.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 180Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low power amplifiers at collector currents from0.2 to 2.5 mA Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 2.6 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006Micro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type M
bfy181.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 181Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers atcollector currents from 0.5 mA to 12 mA Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.2 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006Micro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
