Справочник транзисторов. BSR50

 

Биполярный транзистор BSR50 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSR50
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для BSR50

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSR50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 bsr50.pdf pdf_icon

BSR50

BSR50NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A. Sourced from Process 06.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-Base Vo

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.