BSR50 - описание и поиск аналогов

 

BSR50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSR50

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BSR50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSR50 даташит

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 bsr50.pdf pdf_icon

BSR50

BSR50 NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A. Sourced from Process 06. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Vo

Другие транзисторы: BSR30, BSR31, BSR32, BSR33, BSR40, BSR41, BSR42, BSR43, D882, BSR51, BSR52, BSR55, BSR59, BSR60, BSR61, BSR62, BSS10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.