BSR50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSR50  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 175 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000

Encapsulados: TO92

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BSR50 datasheet

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BSR50

BSR50 NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A. Sourced from Process 06. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Vo

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