BSR50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSR50
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSR50
BSR50 Datasheet (PDF)
bsr50.pdf
BSR50 NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A. Sourced from Process 06. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Vo
Otros transistores... BSR30 , BSR31 , BSR32 , BSR33 , BSR40 , BSR41 , BSR42 , BSR43 , D882 , BSR51 , BSR52 , BSR55 , BSR59 , BSR60 , BSR61 , BSR62 , BSS10 .
History: IMH9A | CHDTC143XEGP | CHIMB4GP | DTS4039 | CHDTC143TUGP | CHDTC123YUGP | CHDTC115EKGP
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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