BSR50 Todos los transistores

 

BSR50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSR50
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BSR50 Datasheet (PDF)

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BSR50

BSR50NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A. Sourced from Process 06.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-Base Vo

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History: BUP47 | MBT3904DW | D28B | B564A

 

 
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