BSR50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSR50
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 175 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Empaquetado / Estuche: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSR50
BSR50 Datasheet (PDF)
1.1. bsr50.pdf 
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BSR50 NPN Darlington Transistor • This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A. • Sourced from Process 06. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Vo
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
