BSS81C - описание и поиск аналогов

 

BSS81C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS81C

Маркировка: CG_CGs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для BSS81C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS81C даташит

 9.1. Size:150K  nxp
pbss8110d.pdfpdf_icon

BSS81C

PBSS8110D 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat transistor in a plastic SOT457 (SC-74) package. 1.2 Features SOT457 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High efficiency, leading to less heat generation 1.3

 9.2. Size:135K  nxp
pbss8110x.pdfpdf_icon

BSS81C

PBSS8110X 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 11 May 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. PNP complement PBSS9110X. 1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capabili

 9.3. Size:123K  nxp
pbss8110t.pdfpdf_icon

BSS81C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PBSS8110T 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Dec 22 Supersedes data of 2003 Jul 28 Philips Semiconductors Product specification 100 V, 1 A PBSS8110T NPN low VCEsat (BISS) transistor QUICK REFERENCE DATA FEATURES SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT SOT23 package VCEO collector-emitter voltag

 9.4. Size:163K  nxp
pbss8110y.pdfpdf_icon

BSS81C

PBSS8110Y 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 21 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat transistor in a SOT363 (SC-88) plastic package. 1.2 Features SOT363 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High efficiency reduces heat generation 1.3 Applicati

Другие транзисторы: BSS79, BSS79B, BSS79C, BSS80, BSS80B, BSS80C, BSS81, BSS81B, 13009, BSS82, BSS82B, BSS82BL, BSS82C, BSS82CL, BSS99, BST15, BST16

 

 

 

 

↑ Back to Top
.