Справочник транзисторов. BSW66

 

Биполярный транзистор BSW66 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSW66
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BSW66 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
 bsw66 bsw67 bsw68 cnv 2.pdf pdf_icon

BSW66

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSW66A; BSW67A; BSW68ANPN switching transistors1997 May 05Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistors BSW66A; BSW67A; BSW68AFEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 150

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDX83C | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.