BSW67 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSW67  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSW67

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSW67 даташит

 ..1. Size:53K  philips
 bsw66 bsw67 bsw68 cnv 2.pdf pdf_icon

BSW67

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSW66A; BSW67A; BSW68A NPN switching transistors 1997 May 05 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors BSW66A; BSW67A; BSW68A FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 150

Другие транзисторы: BSW60, BSW61, BSW62, BSW63, BSW64, BSW65, BSW66, BSW66A, TIP31, BSW67A, BSW68, BSW68A, BSW69, BSW70, BSW72, BSW73, BSW74