BSW67 - описание и поиск аналогов

 

BSW67 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSW67
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BSW67

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSW67 - технические параметры

 ..1. Size:53K  philips
 bsw66 bsw67 bsw68 cnv 2.pdf pdf_icon

BSW67

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSW66A; BSW67A; BSW68A NPN switching transistors 1997 May 05 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors BSW66A; BSW67A; BSW68A FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 150

Другие транзисторы... BSW60 , BSW61 , BSW62 , BSW63 , BSW64 , BSW65 , BSW66 , BSW66A , TIP31 , BSW67A , BSW68 , BSW68A , BSW69 , BSW70 , BSW72 , BSW73 , BSW74 .

History: MMBT2907LT1

 

 
Back to Top

 


 
.