Справочник транзисторов. BU1706AX

 

Биполярный транзистор BU1706AX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU1706AX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1750 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 850 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: SOT186
 

 Аналог (замена) для BU1706AX

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU1706AX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  philips
 bu1706ax.pdf pdf_icon

BU1706AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1706AX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-packenvelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emi

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 bu1706ax.pdf pdf_icon

BU1706AX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1706AXDESCRIPTIONHigh VoltageHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high frequency electronic lightingballast applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITCollector-Emitter VoltageV 1500 VCESMV = 0

 7.1. Size:59K  philips
 bu1706a.pdf pdf_icon

BU1706AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1706A GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltag

 7.2. Size:63K  philips
 bu1706ab.pdf pdf_icon

BU1706AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1706AB GENERAL DESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting, intended foruse in high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage peak

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.