2N322 - описание и поиск аналогов

 

2N322 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N322
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N322

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N322 - технические параметры

 ..1. Size:274K  general electric
 2n322 2n323 2n324.pdf pdf_icon

2N322

 0.1. Size:135K  no
 2n3228.pdf pdf_icon

2N322

 0.2. Size:170K  inchange semiconductor
 2n3226.pdf pdf_icon

2N322

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% test Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching circuits applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

Другие транзисторы... 2N3212 , 2N3213 , 2N3214 , 2N3215 , 2N3216 , 2N3217 , 2N3218 , 2N3219 , A1013 , 2N3220 , 2N3221 , 2N3222 , 2N3223 , 2N3224 , 2N3225 , 2N3226 , 2N3227 .

 

 
Back to Top

 


 
.