2N322 - описание и поиск аналогов

 

2N322. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N322

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N322

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N322 даташит

 ..1. Size:274K  general electric
2n322 2n323 2n324.pdfpdf_icon

2N322

 0.1. Size:135K  no
2n3228.pdfpdf_icon

2N322

 0.2. Size:170K  inchange semiconductor
2n3226.pdfpdf_icon

2N322

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% test Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching circuits applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

Другие транзисторы... 2N3212 , 2N3213 , 2N3214 , 2N3215 , 2N3216 , 2N3217 , 2N3218 , 2N3219 , A1013 , 2N3220 , 2N3221 , 2N3222 , 2N3223 , 2N3224 , 2N3225 , 2N3226 , 2N3227 .

History: BCW32LT1G | BCP56T3G

 

 

 


 
↑ Back to Top
.