2N322 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N322
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 18 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N322
2N322 Datasheet (PDF)
2n3226.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% test Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching circuits applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba
Otros transistores... 2N3212 , 2N3213 , 2N3214 , 2N3215 , 2N3216 , 2N3217 , 2N3218 , 2N3219 , A1013 , 2N3220 , 2N3221 , 2N3222 , 2N3223 , 2N3224 , 2N3225 , 2N3226 , 2N3227 .
History: DTC123ESA | KT611AM | KS6111 | KT626D | KT6108A | KRA766U | KRC827F
History: DTC123ESA | KT611AM | KS6111 | KT626D | KT6108A | KRA766U | KRC827F
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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