2N3221 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3221  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO61

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3221

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3221 даташит

 9.1. Size:274K  general electric
 2n322 2n323 2n324.pdf pdf_icon

2N3221

 9.2. Size:135K  no
 2n3228.pdf pdf_icon

2N3221

 9.3. Size:170K  inchange semiconductor
 2n3226.pdf pdf_icon

2N3221

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% test Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching circuits applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

Другие транзисторы: 2N3214, 2N3215, 2N3216, 2N3217, 2N3218, 2N3219, 2N322, 2N3220, 2SC2240, 2N3222, 2N3223, 2N3224, 2N3225, 2N3226, 2N3227, 2N3229, 2N323