BU326P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU326P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU326P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU326P даташит

 9.1. Size:62K  st
 bu326a.pdf pdf_icon

BU326P

BU326A HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS POWER SUPPLIES LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT 1 2 DESCRIPTION TO-3 The BU326A is a silicon multiepitaxial mesa NPN transistor in Jedec TO-3 metal case particularly intended for switch-mode CTV supply system. INTERNAL SCHEMATIC D

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 bu326s.pdf pdf_icon

BU326P

isc Silicon NPN Power Transistor BU326S DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in operating in color TV receivers chopper supplies. ABSOLUTE MAXIMU

 9.3. Size:131K  inchange semiconductor
 bu326 bu326a.pdf pdf_icon

BU326P

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU326 BU326A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage;high speed Low collector saturation voltage. APPLICATIONS Intended for operating in CTV receiver s chopper supplies. PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Abs

 9.4. Size:205K  inchange semiconductor
 bu326a.pdf pdf_icon

BU326P

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BU326A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in operating in color TV receivers chopper su

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU325, BU326, BU326A, BU326A-4, BU326A-5, BU326A-6, BU326A-7, BU326A-8, MJE350, BU326R, BU326S, BU361, BU406, BU406D, BU406F, BU406H, BU407