BU408D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU408D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TOP66

 Аналоги (замена) для BU408D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU408D даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bu408d.pdf pdf_icon

BU408D

isc Silicon NPN Power Transistor BU408D DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Fast Switching Speed- t = 0.5 s(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 6A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIM

 9.1. Size:45K  fairchild semi
 bu406 bu406h bu408 bu406 bu408.pdf pdf_icon

BU408D

BU406/406H/408 High Voltage Switching Use In Horizontal Deflection Output Stage TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP Co

 9.2. Size:61K  samsung
 bu406 bu406 bu406h bu408 sam.pdf pdf_icon

BU408D

BU406/406H/408 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TO-220 USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 400 V Collector-Emitter Voltage VCEO 200 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 7 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector Peck Current ICM 10 A Base Current

 9.3. Size:212K  inchange semiconductor
 bu408.pdf pdf_icon

BU408D

isc Silicon NPN Power Transistor BU408 DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Fast Switching Speed- t = 400ns(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 6A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU406F, BU406H, BU407, BU407D, BU407F, BU407FI, BU407H, BU408, 2N3904, BU409, BU410, BU411, BU412, BU413, BU414, BU414B, BU415B