BU4508DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU4508DX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: SOT399

 Аналоги (замена) для BU4508DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU4508DX даташит

 ..1. Size:44K  philips
 bu4508dx 2.pdf pdf_icon

BU4508DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 7.1. Size:43K  philips
 bu4508df 2.pdf pdf_icon

BU4508DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508DF GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 7.2. Size:44K  philips
 bu4508dz 2.pdf pdf_icon

BU4508DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU4508DZ GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive and collecto

 7.3. Size:258K  inchange semiconductor
 bu4508dz.pdf pdf_icon

BU4508DX

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU4508DZ DESCRIPTION High Voltage- High Switching Speed Built-in Damer Diode APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) 1500 V VCEO Coll

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU426A, BU426AF, BU426F, BU433, BU4508AF, BU4508AX, BU4508AZ, BU4508DF, D882, BU500, BU505, BU505D, BU505DF, BU505F, BU506, BU506D, BU506DF