Справочник транзисторов. BU508DFI

 

Биполярный транзистор BU508DFI Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU508DFI
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для BU508DFI

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU508DFI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  st
bu208d bu508d bu508dfi.pdfpdf_icon

BU508DFI

BU208DBU508D/BU508DFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTORS BU208D AND BU508DFI ARE STMPREFERRED SALESTYPES HIGH VOLTAGE CAPABILITY U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGETO-3(U.L. FILE # E81734 (N) JEDEC TO-3 METAL CASE1 NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED2FREEWHEELING DIODEAPPLICATIONS: HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOURTV33DESCRIPTION221 1T

 ..2. Size:414K  st
bu508dfi.pdfpdf_icon

BU508DFI

BU508DFIHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1500 V ) NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATEDFREEWHEELING DIODE FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTINGAPPLICATIONS: 3 HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR2TV UP TO 25"1DESCRIPTION ISOWATT218The BU508DFI is manufactured using

 ..3. Size:216K  inchange semiconductor
bu508dfi.pdfpdf_icon

BU508DFI

isc Silicon NPN Power Transistor BU508DFIDESCRIPTIONHigh Voltage-V = 1500V(Min.)CESCollector Current- I = 8.0ACBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits .ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-

 7.1. Size:45K  philips
bu508df.pdfpdf_icon

BU508DFI

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU508DF GENERAL DESCRIPTIONHigh voltage, high-speed switching npn transistors in a fully isolated SOT199 envelope with integrated efficiencydiode, primarily for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collec

Другие транзисторы... BU508 , BU508A , BU508AF , BU508AFI , BU508AT , BU508AXI , BU508D , BU508DF , 2N2222A , BU508DR , BU508DRF , BU508DXI , BU508FI , BU508L , BU522 , BU522A , BU522B .

History: KT898B | DMC26606 | 2SC979O

 

 
Back to Top

 


 
.