BU807FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU807FI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BU807FI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU807FI даташит

 ..1. Size:197K  inchange semiconductor
 bu807fi.pdf pdf_icon

BU807FI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU807FI DESCRIPTION High Voltage V = 330V(Min) CBO Low Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in TV s and CRT s. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMET

 8.1. Size:200K  inchange semiconductor
 bu807f.pdf pdf_icon

BU807FI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU807F DESCRIPTION High Voltage V = 330V(Min) CBO Low Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in TV s and CRT s. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

 9.1. Size:57K  st
 bu806 bu807.pdf pdf_icon

BU807FI

BU806 BU807 MEDIUM VOLTAGE NPN FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES NPN DARLINGTONS LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATION HORIZONTAL DEFLECTION FOR 3 2 MONOCHROME TVs 1 DESCRIPTION TO-220 The devices are silicon Epitaxial Planar NPN power transistors in Darlington configu

 9.2. Size:39K  fairchild semi
 bu806 bu807.pdf pdf_icon

BU807FI

BU806/807 High Voltage & Fast Switching Darlington Transistor Using In Horizontal Output Stages of 110 Crt Video Displays BUILT-IN SPEED-UP Diode Between Base and Emitter TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU800A, BU800S, BU801, BU806, BU806F, BU806FI, BU807, BU807F, S9018, BU808, 2SB647-C, BU808DFI, BU808DXI, BU808FI, BU810, BU824, BU826