Справочник транзисторов. BUL53A

 

Биполярный транзистор BUL53A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BUL53A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUL53A

 

 

BUL53A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:10K  semelab
bul53asmd.pdf

BUL53A

BUL53ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 300V IC = 10A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26

 9.1. Size:28K  semelab
bul53b-sm.pdf

BUL53A
BUL53A

BUL53BSMSEMELABADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURE11.52.0 RANGE0.253.5 3.5 3.0 SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE1 3 HIGH VOLTAGE (VCBO = 800V) FAST SWITCHING (tf

 9.2. Size:20K  semelab
bul53bsmd.pdf

BUL53A
BUL53A

BUL53BSMDADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURERANGE SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top