Биполярный транзистор BUS50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUS50
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
BUS50 Datasheet (PDF)
bus50.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUS50DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 125V(Min.)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage ,high speed,power switching inInductive circuits where fall time is critical.It is particularlysuited for battery swit
bus50rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby BUS50/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUS50SWITCHMODE Series70 AMPERESNPN Silicon Power TransistorsNPN SILICONPOWER TRANSISTORThe BUS50 transistor is designed for low voltage, highspeed, power switching in125 VOLTS (BVCEO)inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for battery350 WATTSswitchmode applications
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SC200
History: 2SC200
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050