Биполярный транзистор BUT34 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUT34
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
BUT34 Datasheet (PDF)
0.1. Size:287K motorola
but34rev.pdf
but34rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby BUT34/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUT34Designer's Data Sheet50 AMPERESSWITCHMODE SeriesNPN SILICONPOWER DARLINGTONNPN Silicon Power DarlingtonTRANSISTOR850 VOLTSTransistors with Base-Emitter250 WATTSSpeedup DiodeThe BUT34 Darlington transistor is designed for highvoltage, highspeed, powerswitching in inductive circuits wh
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050