BUT34 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUT34  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUT34

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT34 даташит

 0.1. Size:287K  motorola
 but34rev.pdf pdf_icon

BUT34

Order this document MOTOROLA by BUT34/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUT34 Designer's Data Sheet 50 AMPERES SWITCHMODE Series NPN SILICON POWER DARLINGTON NPN Silicon Power Darlington TRANSISTOR 850 VOLTS Transistors with Base-Emitter 250 WATTS Speedup Diode The BUT34 Darlington transistor is designed for high voltage, high speed, power switching in inductive circuits wh

Другие транзисторы: BUT22BF, BUT22C, BUT22CF, BUT230V, BUT232V, BUT30, BUT32, BUT33, 2N3055, BUT35, BUT36, BUT46, BUT46A, BUT50P, BUT51P, BUT54, BUT55