BUT54 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUT54  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUT54

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT54 даташит

 ..1. Size:264K  inchange semiconductor
 but54.pdf pdf_icon

BUT54

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT54 DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply and electronic ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 800 V Collector-Emitter

Другие транзисторы: BUT33, BUT34, BUT35, BUT36, BUT46, BUT46A, BUT50P, BUT51P, TIP122, BUT55, BUT56, BUT56A, BUT56A-668, BUT56T, BUT57, BUT57I, BUT60