Биполярный транзистор BUV22 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUV22
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
BUV22 Datasheet (PDF)
buv22.pdf
BUV22Switch-mode SeriesNPN Silicon PowerTransistorThis device is designed for high speed, high current, high power applications.http://onsemi.comFeatures40 AMPERES High DC Current Gain:NPN SILICON POWERhFE min = 20 at IC = 10 AMETAL TRANSISTOR Low VCE(sat), VCE(sat)250 VOLTS - 250 WATTSmax = 1.0 V at IC = 10 A Very Fast Switching Times:TF max = 0.35 ms
buv22.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV22 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V (Max.) @IC= 10A High Switching Speed High DC Current Gain- : hFE= 20(Min.) @IC= 10A APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER
buv22rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby BUV22/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUV22SWITCHMODE Series40 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high current, high speed, high power applications.METAL TRANSISTOR High DC current gain: HFE min. = 20 at IC = 10 A 250 VOLTS Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 1.0 V at IC = 10 A 250 WATTS Very fast switc
buv22-d.pdf
BUV22SWITCHMODEt SeriesNPN Silicon PowerTransistorThis device is designed for high speed, high current, high powerapplications. http://onsemi.comFeatures40 AMPERES High DC Current Gain:NPN SILICON POWERhFE min = 20 at IC = 10 AMETAL TRANSISTOR Low VCE(sat), VCE(sat) 250 VOLTS - 250 WATTSmax = 1.0 V at IC = 10 A Very Fast Switching Times:TF max = 0.35 ms
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050