BUW11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW11

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUW11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW11 даташит

 ..1. Size:122K  inchange semiconductor
buw11 buw11a.pdfpdf_icon

BUW11

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUW11 BUW11A DESCRIPTION With TO-3PN package High voltage ;high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
buw11.pdfpdf_icon

BUW11

isc Silicon NPN Power Transistor BUW11 DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 850 V CBO V Collector-Emitter V

 0.1. Size:72K  philips
buw11f 1.pdfpdf_icon

BUW11

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW11F; BUW11AF Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW11F; BUW11AF DESCRIPTION High-voltage, high-speed, ook, halfpage glass-passivated NPN power transistor in

 0.2. Size:79K  philips
buw11w buw11aw 1.pdfpdf_icon

BUW11

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW11W; BUW11AW Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW11W; BUW11AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 package. e APPLICATIONS Converte

Другие транзисторы: BUV94, BUV95, BUV98, BUV98A, BUV98AV, BUV98BV, BUV98CV, BUV98V, BD335, BUW11A, BUW11AF, BUW11F, BUW12, BUW12A, BUW12AF, BUW12F, BUW13