BUW12AF - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BUW12AF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUW12AF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: ISOTOP3
 

 Аналоги (замена) для BUW12AF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW12AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
buw12af.pdfpdf_icon

BUW12AF

isc Silicon NPN Power Transistor BUW12AFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@I = 5ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, fast switching industrialapplications.ABSO

 8.1. Size:79K  philips
buw12w buw12aw 1.pdfpdf_icon

BUW12AF

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBUW12W; BUW12AWSilicon diffused power transistorsProduct specification 1997 Aug 14Supersedes data of December 1991File under Discrete Semiconductors, SC06Philips Semiconductors Product specificationSilicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AWDESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed,glass-passivated NPN powertransistor in a SOT429 packag

 8.2. Size:79K  philips
buw12w buw12aw.pdfpdf_icon

BUW12AF

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBUW12W; BUW12AWSilicon diffused power transistorsProduct specification 1997 Aug 14Supersedes data of December 1991File under Discrete Semiconductors, SC06Philips Semiconductors Product specificationSilicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AWDESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed,glass-passivated NPN powertransistor in a SOT429 packag

 8.3. Size:214K  inchange semiconductor
buw12a.pdfpdf_icon

BUW12AF

isc Silicon NPN Power Transistor BUW12ADESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@I = 5ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, fast switching industrialapplications.ABSOL

Другие транзисторы... BUV98CV , BUV98V , BUW11 , BUW11A , BUW11AF , BUW11F , BUW12 , BUW12A , BD135 , BUW12F , BUW13 , BUW131 , BUW131A , BUW131H , BUW132 , BUW132A , BUW132H .

History: DTC623TK | KSR1214 | NR421HS | 2SC3150L | 2SC3606

 

 
Back to Top

 


 
.