Биполярный транзистор BUW40 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUW40
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
BUW40 Datasheet (PDF)
buw40 a b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 300V(Min)- BUW40 = 350V(Min)- BUW40A = 400V(Min)- BUW40B High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONSDesigned for high voltage and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMB
buw40 buw40a buw40b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)- BUW40CEO(SUS)= 350V(Min)- BUW40A= 400V(Min)- BUW40BHigh Switching SpeedHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and switching applications.ABSOLUTE MAXIM
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2N6196
History: 2N6196
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050