BUW40B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW40B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUW40B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW40B даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 buw40 buw40a buw40b.pdf pdf_icon

BUW40B

isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min)- BUW40 CEO(SUS) = 350V(Min)- BUW40A = 400V(Min)- BUW40B High Switching Speed High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and switching applications. ABSOLUTE MAXIM

 9.1. Size:145K  inchange semiconductor
 buw40 a b.pdf pdf_icon

BUW40B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 300V(Min)- BUW40 = 350V(Min)- BUW40A = 400V(Min)- BUW40B High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for high voltage and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMB

Другие транзисторы: BUW34, BUW35, BUW36, BUW37, BUW38, BUW39, BUW40, BUW40A, D882P, BUW41, BUW41A, BUW41B, BUW42, BUW42A, BUW42AP, BUW42APFI, BUW42P