BUW50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW50

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUW50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW50 даташит

 ..1. Size:72K  st
 buw50.pdf pdf_icon

BUW50

BUW50 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE VERY LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH GAIN FOR REDUCED LOAD OPERATION TURN-ON AND TURN-OFF TAIL SPECIFICATIONS TURN-ON di /dt FOR BETTER RECTIFIER c 3 CHOICE 2 SWITCHING TIMES SPECIFIED WITH AND 1 WITHOUT NEGATIVE BASE DRIVE FAST SWITCHING TIMES TO-218 LOW SWITCHING LOSSES LOW ON-STATE VOLTAGE DROP

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 buw50.pdf pdf_icon

BUW50

isc Silicon NPN Power Transistor BUW50 DESCRIPTION High Current Capability Fast Switching Speed Low Saturation Voltage and High Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Emitter

Другие транзисторы: BUW42APFI, BUW42P, BUW42PFI, BUW44, BUW45, BUW46, BUW48, BUW49, 2N5551, BUW51, BUW52, BUW52I, BUW57, BUW58, BUW60, BUW60I, BUW61