BUW64B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW64B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUW64B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW64B даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 buw64a buw64b buw64c.pdf pdf_icon

BUW64B

isc Silicon NPN Power Transistors BUW64A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min)- BUW64A CEO(SUS) = 110V(Min)- BUW64B = 130V(Min)- BUW64C High Switching Speed Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators

 9.1. Size:117K  inchange semiconductor
 buw64a b.pdf pdf_icon

BUW64B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUW64A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 90V(Min)- BUW64A = 110V(Min)- BUW64B = 130V(Min)- BUW64C High Switching Speed Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power swi

Другие транзисторы: BUW58, BUW60, BUW60I, BUW61, BUW61I, BUW62, BUW62I, BUW64A, 13007, BUW64C, BUW66, BUW67, BUW70, BUW71, BUW72, BUW73, BUW74