Биполярный транзистор BUX32B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUX32B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
BUX32B Datasheet (PDF)
bux32 bux32a bux32b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUX32/A/BDESCRIPTION High Switching SpeedCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)-BUX32CEO(SUS)= 450V (Min)-BUX32A= 450V (Min)-BUX32BLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for off-line power supplies and are also well suitedfor u
bux32 a b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX32/A/B DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUX32 = 450V (Min)-BUX32A = 450V (Min)-BUX32B Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for off-line power supplies and are also well suited for use in a wide range of invert
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050