BUX87. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX87

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BUX87

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX87 даташит

 ..1. Size:200K  st
bux87.pdfpdf_icon

BUX87

BUX87 High voltage NPN power transistor Features High voltage capability (450 V VCEO) Minimum lot-to-lot spread for reliable operation High DC current gain Applications 1 2 Flyback and forward single transistor low 3 power converters SOT-32 Description The BUX87 is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high Figure 1. Internal s

 ..2. Size:107K  siemens
bux86 bux87.pdfpdf_icon

BUX87

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
bux87.pdfpdf_icon

BUX87

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUX87 DESCRIPTION High Voltage capability V = 450V(Min) CE(sus) Minimum lot-to-lot spread for reliable operation High DC current gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Fly back and Forward single transistor low Power converters

 0.1. Size:43K  philips
bux87-1100 1.pdfpdf_icon

BUX87

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUX87-1100 GENERAL DESCRIPTION High voltage, high speed,low capacitance npn power transistor in a SOT78 envelope intended for use in the dynamic focus circuit of televisions and monitors. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VBE = 0 V - 11

Другие транзисторы: BUX85, BUX85F, BUX86, BUX86-4, BUX86-5, BUX86-6, BUX86-7, BUX86P, BD139, BUX87-9, BUX87P, BUX88, BUX90, BUX91, BUX92, BUX93, BUX94