Справочник транзисторов. C112

 

Биполярный транзистор C112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: C112

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.7 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18

Аналоги (замена) для C112

 

 

C112 Datasheet (PDF)

1.1. fc112.pdf Size:49K _sanyo

C112
C112

Ordering number:EN3080 FC112 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications Features Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k? , R2=22k? ) unit:mm Composite type with 2 transistors contained in the 2066 CP package currently in use, improving the mount- [FC112] ing efficiency greatly. The FC112 is formed with two chips, being equiva- lent to

1.2. 2sc1122a.pdf Size:191K _no

C112
C112

 1.3. dtc101-dtc108 dtc110-dtc112 dtc114 dtc117 dtc123 dtc124.pdf Size:282K _first_silicon

C112
C112

DTC 101 ~ 108 SEMICONDUCTOR DTC 110 ~ 112 / 114 /117 TECHNICAL DATA DTC 123 / 124 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor 3 Transistor) contains a single transistor with a monolithic bi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top