C119. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: C119
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для C119
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
C119 даташит
fc119.pdf
Ordering number EN3061A FC119 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm CP package currently in use, improving the mount- 2068 ing efficiency greatly. [FC119] The FC119 is formed with two chips, being equiva- lent to the 2SC
2sc1195.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1195 DESCRIPTION With TO-3 package High power dissipation Low collector saturation voltage APPLICATIONS For line operated audio output amplifier and switching power supply drivers applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Ab
krc119s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC119S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION FEATURES E With Built-in Bias Resistors. L B L DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G
Другие транзисторы... C1004 , C101 , C102 , C103 , C106 , C112 , C1-12 , C118 , BC549 , C12-28 , C1-28 , C150 , C155 , C155P , C166 , C166P , C168 .
History: C1-12
History: C1-12
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550






