Справочник транзисторов. CD9000

 

Биполярный транзистор CD9000 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CD9000
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CD9000 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:608K  fairchild semi
 fcd900n60z.pdf pdf_icon

CD9000

December 2013FCD900N60ZN-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 4.5 A, 900 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC)and lo

 9.2. Size:849K  onsemi
 fcd900n60z.pdf pdf_icon

CD9000

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | CC6227 | BD536K | 3DD13003M6D | BD1540

 

 
Back to Top

 


 
.