Справочник транзисторов. CK100

 

Биполярный транзистор CK100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CK100
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для CK100

 

 

CK100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  cdil
cl100 ck100 a b.pdf

CK100
CK100

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPNCK100, A, B PNPTO-39Metal Can PackageMedium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCo

 0.1. Size:221K  cdil
cl100s ck100s.pdf

CK100
CK100

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPNCK100S PNPTO-39ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current ICM 1.0 APower Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mWDe

 0.2. Size:192K  china
3ck100.pdf

CK100

3CK100 PNP A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: MPSA43 | 2SB1164

 

 
Back to Top