2N339 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N339 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N339
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO18

Аналоги (замена) для 2N339

2N339 Datasheet (PDF)

0.1. Size:296K fairchild semi
2n3390 2n3391 2n3391a 2n3392 2n3393.pdf

Discrete POWER & SignalTechnologies2N33902N33912N3391A2N33922N3393B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO

0.2. Size:54K njs
2n3390a.pdf