2N339 - описание и поиск аналогов

 

2N339. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N339

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N339

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N339 даташит

 0.1. Size:296K  fairchild semi
2n3390 2n3391 2n3391a 2n3392 2n3393.pdfpdf_icon

2N339

Discrete POWER & Signal Technologies 2N3390 2N3391 2N3391A 2N3392 2N3393 B TO-92 C E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO

 0.2. Size:54K  njs
2n3390a.pdfpdf_icon

2N339

Другие транзисторы... 2N3371 , 2N3374 , 2N3375 , 2N337A , 2N338 , 2N3388 , 2N3389 , 2N338A , 13003 , 2N3390 , 2N3390U , 2N3391 , 2N3391A , 2N3392 , 2N3392U , 2N3393 , 2N3393U .

History: PUMB15

 

 

 


 
↑ Back to Top
.