Справочник транзисторов. CMPTH10

 

Биполярный транзистор CMPTH10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMPTH10
   Маркировка: C3E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CMPTH10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  central
cmpth10.pdfpdf_icon

CMPTH10

CMPTH10www.centralsemi.comSURFACE MOUNTNPN SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C3ESOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C)

 9.1. Size:331K  central
cmpth81.pdfpdf_icon

CMPTH10

CMPTH81www.centralsemi.comSURFACE MOUNTPNP SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications.MARKING CODE: C3D or 3DSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VCBO 20 VCollector-Emitter Voltage V

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: ZTX239 | ZTX614 | ECH8503-TL-H | 2SC889 | MPS2484 | BD120 | BF321

 

 
Back to Top

 


 
.