CMPTH10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMPTH10

Маркировка: C3E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для CMPTH10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMPTH10 даташит

 ..1. Size:322K  central
 cmpth10.pdf pdf_icon

CMPTH10

CMPTH10 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT NPN SILICON DESCRIPTION RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications. MARKING CODE C3E SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)

 9.1. Size:331K  central
 cmpth81.pdf pdf_icon

CMPTH10

CMPTH81 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT PNP SILICON DESCRIPTION RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications. MARKING CODE C3D or 3D SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 20 V Collector-Emitter Voltage V

Другие транзисторы: CMPTA27, CMPTA29, CMPTA42, CMPTA44, CMPTA56, CMPTA63, CMPTA64, CMPTA92, BC556, CMST2222A, CMST2907A, CMST3904, CMST3906, CN100, CP100, CP398, CP400