CMPTH10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMPTH10  📄📄 

Código: C3E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.004 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT23

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CMPTH10 datasheet

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CMPTH10

CMPTH10 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT NPN SILICON DESCRIPTION RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications. MARKING CODE C3E SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)

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CMPTH10

CMPTH81 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT PNP SILICON DESCRIPTION RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications. MARKING CODE C3D or 3D SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 20 V Collector-Emitter Voltage V

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