CMPTH10 Todos los transistores

 

CMPTH10 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMPTH10
   Código: C3E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.004 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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Principales características: CMPTH10

 ..1. Size:322K  central
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CMPTH10

CMPTH10 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT NPN SILICON DESCRIPTION RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications. MARKING CODE C3E SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)

 9.1. Size:331K  central
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CMPTH10

CMPTH81 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT PNP SILICON DESCRIPTION RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications. MARKING CODE C3D or 3D SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 20 V Collector-Emitter Voltage V

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History: 2N3201

 

 
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