Справочник транзисторов. D45C12

 

Биполярный транзистор D45C12 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D45C12
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TOP66
 

 Аналог (замена) для D45C12

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D45C12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  onsemi
 d45c12 d44c12.pdf pdf_icon

D45C12

D45C12 (PNP),D44C12 (NPN)Complementary SiliconPower TransistorThe D45C12 and D44C12 are for general purpose driver ormedium power output stages in CW or switching applications. http://onsemi.comFeatures4.0 AMPERE COMPLEMENTARY Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V (Max)SILICON POWER High ft for Good Frequency Response Low Leakage Current TRANSISTORS 80

 9.1. Size:95K  fairchild semi
 d45c11.pdf pdf_icon

D45C12

January 2010D45C11PNP Current Driver TransistorFeatures This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. Sourced from Process 5P. NZT751 for characteristics.TO-22011. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Vo

Другие транзисторы... D44VM6 , D44VM7 , D44VM8 , D44VM9 , D45C , D45C1 , D45C10 , D45C11 , 2N3904 , D45C2 , D45C3 , D45C4 , D45C5 , D45C6 , D45C7 , D45C8 , D45C9 .

History: CJF100

 

 
Back to Top

 


 
.